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Lugar:
Sakae, Yokohama | 28/03/2026 19:03:36 PM | Salario: S/. No Especificado
波用途ã®åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“エピタã‚シャルçµæ™¶æˆé•·æŠ€è¡“ã®é–‹ç™ºåŠã³é‡ç”£å±•é–‹ â– æ¥å‹™è©³ç´° 〇高周波GaN HEMT用エピタã‚シャルウェãƒã®è¨è¨ˆ 〇高周波GaN HEMT用エピタã‚シャルæˆé•·æŠ€è¡“開発 〇生産技術開発åŠã³ç”Ÿç”£ã¸ã®å±•é–‹ ■仕事ã®ç‰¹å¾´ãƒ»é¢ç™½ã• 化åˆ...
Lugar:
Kanagawa | 28/03/2026 03:03:40 AM | Salario: S/. No Especificado
［仕事詳細］ ◇◆世界ã®é›»å‹•åŒ–を支ãˆã‚‹æœ€å…ˆç«¯æŠ€è¡“ã¸â€”SiC・GaNパワーåŠå°Žä½“ã®ä¸æ ¸ã‚’æ‹…ã†ç ”究開発ãƒã‚¸ã‚·ãƒ§ãƒ³ã§ã™â—†â—‡ â– æ¥å‹™å†…容 SiCã€GaNパワーåŠå°Žä½“(SiC-MOSFETã€ç¸¦åž‹GaN-MOSFETã€æ¨ªåž‹GaN-HEMT...)ã®ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ãŠã‚ˆã³ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã«é–¢ã™ã‚‹ç ”究開発。SiCエピãŠã‚ˆã³GaNウェãƒæŠ€è¡“ã®ç ”究開発をãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ ・パワーデãƒã‚¤ã‚¹ã®ä¼ç”»ã€æŠ€è¡“å‹•å‘調査 ・デãƒã‚¤ã‚¹ã‚·ãƒŸãƒ¥ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³è¨è¨ˆã€æ§‹é€ è¨è¨ˆã€ãƒ¬ã‚¤ã‚¢ã‚¦ãƒˆè¨è¨ˆ ・プãƒã‚»ã‚¹ã‚·ãƒŸãƒ¥ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³è¨è¨ˆã€ãƒ—ãƒ...
Lugar:
Aichi | 28/03/2026 03:03:29 AM | Salario: S/. No Especificado
ãƒãƒ©ãƒ³ã‚¹ã®ã¨ã‚ŒãŸãƒãƒ¼ãƒˆãƒ•ã‚©ãƒªã‚ªã§å®‰å®šã—ã¦åˆ©ç›Šã‚’ã‚ã’ã¦ã„ã¾ã™ã€‚ ・ä¸ã§ã‚‚ä½å‹é›»å·¥ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ãƒ»ã‚¤ãƒŽãƒ™ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³ã¯ã€ä½å‹é›»å·¥100％出資ã®æƒ…å ±é€šä¿¡äº‹æ¥ã‚’æ‹…ã†é‡è¦ãªã‚°ãƒ«ãƒ¼ãƒ—会社ã§ã™ã€‚当社ã¯ã€å…‰ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ã‚„光デãƒã‚¤ã‚¹ã®é–‹ç™ºãƒ»è£½é€ ã‚’è¡Œã£ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ãŒã€æºå¸¯é›»è©±åŸºåœ°å±€ã®ç„¡ç·šé€šä¿¡è£…ç½®ã«ä½¿ã‚ã‚Œã¦ã„ã‚‹GaNåŠå°Žä½“デãƒã‚¤ã‚¹ã¯5G...ã€IoT技術ã«å¯„与ã—ã€å›½å†…外ã§éœ€è¦ãŒéžå¸¸ã«ä¼¸ã³ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ ・5Gã«å¯¾å¿œã§ãã‚‹GaAs FETãªã©ã®åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“デãƒã‚¤ã‚¹ã¯ã€é‡ç”£ä¾›çµ¦ã§ãるメーカーãŒæ•°ç¤¾ã—ã‹ãªãã€ä»Šå¾Œã•ã‚‰ãªã‚‹éœ€è¦ãŒè¦‹è¾¼ã¾ã‚Œã‚‹åŸºåœ°å±€ç”¨GaNトラ...
Lugar:
Yamanashi | 28/03/2026 03:03:49 AM | Salario: S/. No Especificado
［仕事詳細］ â– æ¥å‹™å†…容： パワーGaNトランジスタ用ã®ã‚¨ãƒ”ã‚¿ã‚シャルウェãƒã‚„ã€ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã®é–‹ç™ºã¨é‡ç”£åŒ–ã«å‘ã‘ãŸã€çµæ™¶æˆé•·æŠ€è¡“開発ï¼ã‚¦ã‚¨ãƒãƒ—ãƒã‚»ã‚¹é–‹ç™ºï¼å·¥ç¨‹è¨è¨ˆï¼é‡ç”£æŠ€è¡“開発ï¼è©•ä¾¡ãƒ»è§£æžç‰ã‚’ãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ ■具体...çš„ã«ã¯ï¼š （1）パワーGaNトランジスタ用エピタã‚シャルウェãƒã®çµæ™¶æˆé•·æŠ€è¡“開発 ・MOCVD法を用ã„ãŸGaN系薄膜æˆé•·æŠ€è¡“ã®é–‹ç™º ・安定生産を実ç¾ã™ã‚‹é‡ç”£åŒ–技術ã®é–‹ç™º （2）パワーGaNトランジスタã®ã‚¦ã‚¨ãƒãƒ—ãƒã‚»ã‚¹é–‹ç™º ・化åˆ...
Lugar:
Toyama | 28/03/2026 03:03:46 AM | Salario: S/. No Especificado
波化åˆç‰©åŠå°Žä½“トランジスタã®ãƒ¢ãƒ‡ãƒªãƒ³ã‚°ã«é–¢ã™ã‚‹æŠ€è¡“開発ãŠã‚ˆã³ãれらを用ã„ãŸå¢—幅器ã®å›žè·¯è¨è¨ˆ â– æ¥å‹™è©³ç´° 〇åŠå°Žä½“トランジスタã®è©•ä¾¡ãƒ»ãƒ¢ãƒ‡ãƒªãƒ³ã‚° 〇回路シミュレータã¸ã®ãƒ¢ãƒ‡ãƒ«å®Ÿè£… 〇モデルを用ã„ãŸè§£æžã‚·ãƒŸãƒ¥ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³ 〇モデルを用ã„ãŸå¢—幅器回路ã®æŠ€è¡“開発 ■仕事ã®ç‰¹å¾´ãƒ»é¢ç™½ã• GaNトランジスタã¯é«˜åŠ¹çŽ‡ãƒ»é«˜å‡º...
Lugar:
Kanagawa | 28/03/2026 03:03:50 AM | Salario: S/. No Especificado
ãƒãƒ©ãƒ³ã‚¹ã®ã¨ã‚ŒãŸãƒãƒ¼ãƒˆãƒ•ã‚©ãƒªã‚ªã§å®‰å®šã—ã¦åˆ©ç›Šã‚’ã‚ã’ã¦ã„ã¾ã™ã€‚ ・ä¸ã§ã‚‚ä½å‹é›»å·¥ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ãƒ»ã‚¤ãƒŽãƒ™ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³ã¯ã€ä½å‹é›»å·¥100％出資ã®æƒ…å ±é€šä¿¡äº‹æ¥ã‚’æ‹…ã†é‡è¦ãªã‚°ãƒ«ãƒ¼ãƒ—会社ã§ã™ã€‚当社ã¯ã€å…‰ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ã‚„光デãƒã‚¤ã‚¹ã®é–‹ç™ºãƒ»è£½é€ ã‚’è¡Œã£ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ãŒã€æºå¸¯é›»è©±åŸºåœ°å±€ã®ç„¡ç·šé€šä¿¡è£…ç½®ã«ä½¿ã‚ã‚Œã¦ã„ã‚‹GaNåŠå°Žä½“デãƒã‚¤ã‚¹ã¯5G...ã€IoT技術ã«å¯„与ã—ã€å›½å†…外ã§éœ€è¦ãŒéžå¸¸ã«ä¼¸ã³ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ ・5Gã«å¯¾å¿œã§ãã‚‹GaAs FETãªã©ã®åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“デãƒã‚¤ã‚¹ã¯ã€é‡ç”£ä¾›çµ¦ã§ãるメーカーãŒæ•°ç¤¾ã—ã‹ãªãã€ä»Šå¾Œã•ã‚‰ãªã‚‹éœ€è¦ãŒè¦‹è¾¼ã¾ã‚Œã‚‹åŸºåœ°å±€ç”¨GaNトラ...
求人ã®è¦ç´„ 給与 å¹´åŽ 800 〜 1,300万円 è·ç¨® 製å“開発エンジニア 勤務地 茨城 牛久市 求人詳細 次世代ææ–™ã¨ã—ã¦æœŸå¾…ã•ã‚Œã‚‹GaN（窒化ガリウム）ウエãƒã®åŠ 工技術開発ã€ãŠã‚ˆ...
Lugar:
Ibaraki | 27/03/2026 18:03:50 PM | Salario: S/. 8000000 - 13000000 per year
事æ¥ã‚’繋ã„ã§ã„ã為ã«ã€ä¸€ç·’ã«æ•°ã€…ã®å¤§è¦æ¨¡ãƒ—ãƒã‚¸ã‚§ã‚¯ãƒˆã‚’支ãˆã¦ã„ãŸã ã‘るメンãƒãƒ¼ã‚’募集ã—ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ â– è·å‹™å†…容 高周波用途ã®åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“エピタã‚シャルçµæ™¶æˆé•·æŠ€è¡“ã®é–‹ç™ºåŠã³é‡ç”£å±•é–‹ â– æ¥å‹™è©³ç´° 〇高周波GaN HEMT用エ...ピタã‚シャルウェãƒã®è¨è¨ˆ 〇高周波GaN HEMT用エピタã‚シャルæˆé•·æŠ€è¡“開発 〇生産技術開発åŠã³ç”Ÿç”£ã¸ã®å±•é–‹ ■仕事ã®ç‰¹å¾´ãƒ»é¢ç™½ã• 化åˆç‰©åŠå°Žä½“技術を用ã„ãŸé€šä¿¡ã‚¤ãƒ³ãƒ•ãƒ©ç”¨ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ã§ä¸–界ナンãƒãƒ¼ãƒ¯ãƒ³ã«ãªã‚‹ã“ã¨ã¸ã®æŒ‘戦åŠã³ç ”究ã€æŠ€è¡“ã€è£½å“開発ã€è£½é€ ã€é¡§å®¢...
イス・プãƒã‚»ã‚¹/パワーåŠå°Žä½“）ï¼åœ¨å®…å¯ï¼œãƒŸãƒ©ã‚¤ã‚ºï¼ž ◇◆世界ã®é›»å‹•åŒ–を支ãˆã‚‹æœ€å…ˆç«¯æŠ€è¡“ã¸â€•SiC・GaNパワーåŠå°Žä½“ã®ä¸æ ¸ã‚’æ‹…ã†ç ”究開発ãƒã‚¸ã‚·ãƒ§ãƒ³ã§ã™â—†â—‡ â– æ¥å‹™å†…容 SiCã€GaNパワーåŠå°Žä½“(SiC-MOSFETã€ç¸¦åž‹GaN...-MOSFETã€æ¨ªåž‹GaN-HEMT)ã®ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ãŠã‚ˆã³ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã«é–¢ã™ã‚‹ç ”究開発。SiCエピãŠã‚ˆã³GaNウェãƒæŠ€è¡“ã®ç ”究開発をãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ ・パワーデãƒã‚¤ã‚¹ã®ä¼ç”»ã€æŠ€è¡“å‹•å‘調査 ・デãƒã‚¤ã‚¹ã‚·ãƒŸãƒ¥ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³è¨è¨ˆã€æ§‹é€ è¨è¨ˆã€ãƒ¬ã‚¤ã‚¢ã‚¦ãƒˆè¨è¨ˆ ・プãƒ...