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Lugar:
Hyogo | 13/03/2026 03:03:12 AM | Salario: S/. No Especificado
グループ会社ã§ã‚ã‚‹å¤æ²³ãƒ•ã‚¡ã‚¤ãƒ†ãƒ«ã‚ªãƒ—ティカルコンãƒãƒ¼ãƒãƒ³ãƒ„æ ªå¼ä¼šç¤¾ã¸å‡ºå‘ã¨ãªã‚Šã€å…‰ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚·ãƒ¼ãƒå‘ã‘シミュレーション技術開発・開発支æ´ã‚’è¡Œã†ãƒãƒ¼ãƒ ã®ãƒžãƒã‚¸ãƒ¡ãƒ³ãƒˆã‚’ãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ é…属ãƒãƒ¼ãƒ ã¯ã€LN変調器ã€ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³ãƒ•ã‚©ãƒˆãƒ‹ã‚¯ã‚¹/InPå—器ç‰ã®å…‰é›†ç©å›žè·¯(PIC)ã€Driver/TIAã®é›»æ°—集ç©å›žè·¯(EIC)ã‚’æ...
Lugar:
Chiba | 13/03/2026 03:03:00 AM | Salario: S/. No Especificado
物åŠå°Žä½“è£½é€ ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã«ãŠã„ã¦è£½å“ã®ç‰¹æ€§ã«å¤§ãã影響ã™ã‚‹é‡è¦ãªå·¥ç¨‹ã¨ãªã£ã¦ã„る。 （2）扱ã†åŸºæ¿ã¯ã€åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“基æ¿(GaAs, GaN, InP, SiC)ã§ã‚ã‚Šã€å½“所ã§è£½é€ ã—ã¦ã„るデãƒã‚¤ã‚¹å…¨èˆ¬ã®æŠ€è¡“開発ã«æºã‚ã‚‹ã“ã¨ã«ãªã‚‹ã€‚製å“開発段階ã‹ã‚‰è£½é€ プãƒã‚»ã‚¹æ±ºå®šã«å¤§ãã関与ã—ã€ãƒ—ãƒ...
Lugar:
Hyogo | 03/03/2026 03:03:23 AM | Salario: S/. No Especificado
信用途を始ã‚ã¨ã—ãŸãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹é–‹ç™ºã‚’支ãˆã‚‹åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“エピタã‚シャルæˆé•·æŠ€è¡“開発を担当ã—ã¦ã„ãŸã ãã¾ã™ã€‚ çµæ™¶å“質ãŠã‚ˆã³é‡ç”£å®‰å®šæ€§ã®æœ€é©åŒ–を目指ã—ã€è¨è¨ˆãƒ»å®Ÿé¨“・解æžãƒ»é‡ç”£å°Žå…¥ã¾ã§ã‚’一貫ã—ã¦è¡Œã„ã¾ã™ã€‚ â– è·å‹™è©³ç´°ï¼š ＜æ¥å‹™å†…容例＞ â— InPï¼GaAsï¼GaN ç³»ã®III-V æ—化åˆç‰©åŠå°Žä½“ã®ã‚¨ãƒ”ã‚¿ã‚シャルæˆé•· ・MOCVD装置...を用ã„ãŸInPï¼GaAsï¼GaN ç³»ã®ã‚¨ãƒ”ã‚¿ã‚シャルæˆé•· ・エピæˆé•·æ¡ä»¶ï¼ˆæ¸©åº¦ã€åœ§åŠ›ã€V/III 比ã€ã‚ャリアガスæµé‡ï¼‰ã®è¨å®šãƒ»èª¿æ•´ ・デãƒã‚¤ã‚¹ä»•æ§˜ã«å¿œã˜ãŸã‚¨ãƒ”æ§‹é€ ã®å®Ÿç¾ï¼ˆé‡å井戸層ã€ãƒ˜ãƒ†ãƒéšœå£å±¤ã€ãƒ‰ãƒ¼ãƒ”ング制御 ãªã©ï¼‰ ◠薄膜...
ォーマンス最é©åŒ–（LCP/INP/CLSã€ã‚³ãƒ¼ãƒ‰åˆ†å‰²ã€ã‚¢ã‚»ãƒƒãƒˆæœ€é©åŒ–） API 連æºï¼ˆOpenAPI/GraphQL/RESTã€ã‚¨ãƒ©ãƒ¼ãƒãƒ³ãƒ‰ãƒªãƒ³ã‚°/å†è©¦è¡Œæˆ¦ç•¥ï¼‰ E2E/Unit テスト（Cypress/Vitest）ã¨ã‚¢ã‚¯ã‚»ã‚·ãƒ“リティ改善（WAI...
コンフォトニクス/InPå—器ç‰ã®å…‰é›†ç©å›žè·¯(PIC)ã€Driver/TIAã®é›»æ°—集ç©å›žè·¯(EIC)ã‚’æ載ã—ãŸå…‰ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚·ãƒ¼ãƒ/光デãƒã‚¤ã‚¹ã®è¨è¨ˆã€è©•ä¾¡ã‚’æ‹…ã£ã¦ãŠã‚Šã€ãƒãƒ¼ãƒ 体制強化ã®ãŸã‚ã®å¢—員募集ã¨ãªã‚Šã¾ã™ã€‚ 自社開発製å“ã®é¡§å®¢é‹ç”¨ãƒ¢ãƒ‡ãƒ«ã‚’構築ã—ã€ã‚·ãƒŸ...
） ä¿¡é ¼ã§ãるデータ：API（Retrofit/Ktor）ã€ã‚ャッシュ/オフライン（Room/SQLDelightã€WorkManager） å“質ループ：自動テストã€CI/CDã€è¨ˆæ¸¬â†’改善（Crashlytics/ANR/起動時間/INP...
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Lugar:
Itami, Hyogo | 05/03/2026 20:03:00 PM | Salario: S/. No Especificado
ã§ãªãã¦ãªã‚‰ãªã„最先端ã®200Gbpsç‰ãƒã‚¤ã‚¹ãƒ”ードãªInＰ系化åˆç‰©åŠå°Žä½“レーザãƒãƒƒãƒ—ã®ãƒ†ã‚¹ãƒˆã«é–¢ã™ã‚‹æ¥å‹™ã«ãªã‚Šã¾ã™ã€‚ ∟åŠå°Žä½“è£½é€ ã§ã®ãƒ†ã‚¹ãƒˆæŠ€è¡“ã«é–¢ã™ã‚‹çŸ¥è˜ã¨çµŒé¨“ãŒã‚ã‚‹ã“ã¨ã€‚ ∟è¨è¨ˆã€è£½é€ ã€å“質部門ã¨ã®é–¢ã‚ã‚Šåˆã„ãŒå¿…é ˆã¨ãªã‚‹ãŸã‚ã€è‰²ã€…ãªäºº...
物åŠå°Žä½“è£½é€ ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã«ãŠã„ã¦è£½å“ã®ç‰¹æ€§ã«å¤§ãã影響ã™ã‚‹é‡è¦ãªå·¥ç¨‹ã¨ãªã£ã¦ã„る。 （2）扱ã†åŸºæ¿ã¯ã€åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“基æ¿(GaAs, GaN, InP, SiC)ã§ã‚ã‚Šã€å½“所ã§è£½é€ ã—ã¦ã„るデãƒã‚¤ã‚¹å…¨èˆ¬ã®æŠ€è¡“開発ã«æºã‚ã‚‹ã“ã¨ã«ãªã‚‹ã€‚製å“開発段階ã‹ã‚‰è£½é€ プãƒã‚»ã‚¹æ±ºå®šã«å¤§ãã関与ã—ã€ãƒ—ãƒ...