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Lugar:
Ibaraki | 27/03/2026 18:03:07 PM | Salario: S/. 8000000 - 13000000 per year
ã®çµŒé¨“ â– æ“迎æ¡ä»¶ï¼š ・パワーåŠå°Žä½“(SiC/IGBT)使用経験 ・パワーデãƒã‚¤ã‚¹é–¢é€£çŸ¥è˜ ・デジタル電æºåˆ¶å¾¡ãƒ•ァームウエアè¨è¨ˆçµŒé¨“ ・パワーåŠå°Žä½“回路シミュレーション経験 ã€å‹¤å‹™æ™‚間】 ï¼œåŠ´åƒæ™‚間区分> フレックスタイム制 コア...
ã€äº‹æ¥å†…容】 â– äº‹æ¥æ¦‚è¦ï¼š 石油製å“ã€LPガスã€SIC・アルミナ質炉æã€è€ç«ç‰©ã€é™¶ç£å™¨è£½é€ ç”¨æ©Ÿæ¢°å™¨å…·ã€æ¶ˆé˜²é–¢é€£è¨å‚™æ©Ÿå™¨ã€æå®³ä¿é™ºãƒ»ç”Ÿå‘½ä¿é™ºã€ä¸å‹•産æ¥ã€ã‚½ãƒ¼ãƒ©ãƒ¼æ©Ÿå™¨ ã€å‹Ÿé›†èƒŒæ™¯ã€‘ ã€ä»•事内容】 ã€ç‘žæµªå¸‚】コメ...
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イス・プãƒã‚»ã‚¹/パワーåŠå°Žä½“)ï¼åœ¨å®…å¯ï¼œãƒŸãƒ©ã‚¤ã‚ºï¼ž ◇◆世界ã®é›»å‹•化を支ãˆã‚‹æœ€å…ˆç«¯æŠ€è¡“ã¸â€•SiC・GaNパワーåŠå°Žä½“ã®ä¸æ ¸ã‚’æ‹…ã†ç ”究開発ãƒã‚¸ã‚·ãƒ§ãƒ³ã§ã™â—†â—‡ â– æ¥å‹™å†…容 SiCã€GaNパワーåŠå°Žä½“(SiC-MOSFETã€ç¸¦åž‹GaN...-MOSFETã€æ¨ªåž‹GaN-HEMT)ã®ãƒ‡ãƒã‚¤ã‚¹ãŠã‚ˆã³ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ã«é–¢ã™ã‚‹ç ”究開発。SiCエピãŠã‚ˆã³GaNã‚¦ã‚§ãƒæŠ€è¡“ã®ç ”究開発をãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ ・パワーデãƒã‚¤ã‚¹ã®ä¼ç”»ã€æŠ€è¡“å‹•å‘調査 ・デãƒã‚¤ã‚¹ã‚·ãƒŸãƒ¥ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³è¨è¨ˆã€æ§‹é€ è¨è¨ˆã€ãƒ¬ã‚¤ã‚¢ã‚¦ãƒˆè¨è¨ˆ ・プãƒ...