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Lugar:
Nishikyo, Kyoto | 01/03/2026 01:03:00 AM | Salario: S/. No Especificado
æ§‹æˆï¼š 社長をå«ã‚5å体制ã§ã€æŠ€è¡“担当ã¯ç¤¾é•·ã‚’å«ã‚3åã§ã™ã€‚ ■当社ã«ã¤ã„ã¦ï¼š åå¤å±‹å¤§å¦ç™ºã®æŠ€è¡“シーズをベースã«ã€é›»åЛ変æ›ï¼ˆAC・DCï¼DC・DCç‰ï¼‰åˆ†é‡Žã®ç ”究開発を主軸ã¨ã—ã¦å±•é–‹ã—ã¦ã„ã¾ã™ã€‚GaN HEMTã‚„SiC MOSFETç‰ã®...
Lugar:
Asakusa, Tokyo | 28/02/2026 22:02:33 PM | Salario: S/. No Especificado
ーデãƒã‚¤ã‚¹é–‹ç™ºã‚’行ã†ãƒ•ァブレスã®è¨è¨ˆé–‹ç™ºä¼æ¥ã§ã‚る当社ã«ã¦å›½å†…å¤–å·¥å ´ã®ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ç®¡ç†ã‚’ãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ <è·å‹™è©³ç´°ï¼ž 具体的ã«ã¯ã€åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“(SiC,GaN)を使用ã—ãŸãƒ‘ワーåŠå°Žä½“ã®é‡ç”£åŒ–ã«ã‚ãŸã‚Šã€å§”è¨—å…ˆã®æµ·å¤–å·¥å ´ã¨ã®é€£æºã‚’行ã£ã¦é ‚ãã¾ã™ã€‚ ・プãƒã‚»ã‚¹ã‚¤ãƒ³ãƒ†ã‚°ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³ï¼ˆé€²æ—管ç†ï¼‰ ãƒ»å·¥ç¨‹ç®¡ç† ãƒ»ç‰©æµç®¡ç† 生産・在庫...ã«ã¤ã„㦠Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーã®EVã‚„EV充電スタンドã«ä½¿ç”¨ã•れã¦ã„ã¾ã™ã€‚ 今後é‡ç”£åŒ–を図りã€ã‚°ãƒãƒ¼ãƒãƒ«ãªè²©è·¯ã®æ‹¡å¤§ã‚’目指ã—ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ ▼入社後・é…属...
Lugar:
Nishikyo, Kyoto | 28/02/2026 21:02:22 PM | Salario: S/. No Especificado
ã‹ã‚‰ä¾›çµ¦ã•れる電力を変æ›ã—ã€äº¤æµãƒ¢ãƒ¼ã‚¿ã®åˆ¶å¾¡ã‚’行ã†è£…ç½®ã§ã‚りã€èµ°è¡Œç”¨ã®é›»æ°—ã®å‘¨æ³¢æ•°ã‚„電圧を変ãˆã€ä¸»é›»å‹•機(モーター)ã®å›žè»¢æ•°ã‚„力を調整ã—ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ è¿‘å¹´ã§ã¯å¤§å®¹é‡SiCパワーモジュールを活用ã—ãŸé‰„é“車両用インãƒãƒ¼ã‚¿ãƒ¼ã®é–‹ç™ºã«ä¸–界ã«å…ˆé§†ã‘ã¦è£½å“化ã—ã€å¾“æ¥...
Lugar:
Hyogo | 28/02/2026 20:02:20 PM | Salario: S/. No Especificado
ã³æ–°äº‹æ¥ã¨ã—ã¦ãƒ‘ワーåŠå°Žä½“ã®Sï½‰ï½ƒã‚’è£½é€ ã€œ â– æ¥å‹™æ¦‚è¦ï¼š å·¥å ´å†…ã§ã®ç”Ÿç”£æŠ€è¡“者ã¨ã—ã¦æŠ€è¡“çš„æ”¹å–„ã€å“質改善ã€ã‚³ã‚¹ãƒˆå‰Šæ¸›ã€å·¥ç¨‹è¨è¨ˆã€é¡§å®¢ã¨ã®æŠ€è¡“打ã¡åˆã‚ã›ç‰ã®ä¸ã®æ¥å‹™ã‚’行ã£ã¦é ‚ãã¾ã™ã€‚ ã‚‚ã®ã¥ãりã®åŠ¹çŽ‡åŒ–ã«ã¤ã„ã¦æ§˜ã€…ãªè§’度ã‹ã‚‰æºã‚ã‚‹ã“ã¨ãŒã§ãã¾ã™ã€‚自分...
Lugar:
Kagoshima | 28/02/2026 03:02:53 AM | Salario: S/. No Especificado
ãšã‚Œã‹ï¼‰ ・åŠå°Žä½“å·¥å¦ã®åŸºç¤ŽçŸ¥è˜ã€PCスã‚ル(Excelï¼Wordï¼PowerPoint) ・関係部門をå«ã‚ãŸå††æ»‘ãªã‚³ãƒŸãƒ¥ãƒ‹ã‚±ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³åŠ› ・日本語ã§ã®æ¥å‹™é‚行力 â– æ“迎è¦ä»¶ï¼ˆã„ãšã‚Œã‹ï¼‰ ・エピプãƒã‚»ã‚¹ï¼ˆSiï¼SiCï¼GaN ç‰ï¼‰ã®çŸ¥è¦‹ãƒ»å®Ÿå‹™...
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Lugar:
Aichi | 27/02/2026 03:02:33 AM | Salario: S/. No Especificado
æ§‹æˆï¼š 社長をå«ã‚5å体制ã§ã€æŠ€è¡“担当ã¯ç¤¾é•·ã‚’å«ã‚3åã§ã™ã€‚ ■当社ã«ã¤ã„ã¦ï¼š åå¤å±‹å¤§å¦ç™ºã®æŠ€è¡“シーズをベースã«ã€é›»åЛ変æ›ï¼ˆAC・DCï¼DC・DCç‰ï¼‰åˆ†é‡Žã®ç ”究開発を主軸ã¨ã—ã¦å±•é–‹ã—ã¦ã„ã¾ã™ã€‚ GaN HEMTã‚„SiC MOSFETç‰ã®...
Lugar:
Tokyo | 27/02/2026 03:02:48 AM | Salario: S/. No Especificado
ーデãƒã‚¤ã‚¹é–‹ç™ºã‚’行ã†ãƒ•ァブレスã®è¨è¨ˆé–‹ç™ºä¼æ¥ã§ã‚る当社ã«ã¦å›½å†…å¤–å·¥å ´ã®ãƒ—ãƒã‚»ã‚¹ç®¡ç†ã‚’ãŠä»»ã›ã—ã¾ã™ã€‚ <è·å‹™è©³ç´°ï¼ž 具体的ã«ã¯ã€åŒ–åˆç‰©åŠå°Žä½“(SiC,GaN)を使用ã—ãŸãƒ‘ワーåŠå°Žä½“ã®é‡ç”£åŒ–ã«ã‚ãŸã‚Šã€å§”è¨—å…ˆã®æµ·å¤–å·¥å ´ã¨ã®é€£æºã‚’行ã£ã¦é ‚ãã¾ã™ã€‚ ・プãƒã‚»ã‚¹ã‚¤ãƒ³ãƒ†ã‚°ãƒ¬ãƒ¼ã‚·ãƒ§ãƒ³ï¼ˆé€²æ—管ç†ï¼‰ ãƒ»å·¥ç¨‹ç®¡ç† ãƒ»ç‰©æµç®¡ç† 生産・在庫...ã«ã¤ã„㦠Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーã®EVã‚„EV充電スタンドã«ä½¿ç”¨ã•れã¦ã„ã¾ã™ã€‚ 今後é‡ç”£åŒ–を図りã€ã‚°ãƒãƒ¼ãƒãƒ«ãªè²©è·¯ã®æ‹¡å¤§ã‚’目指ã—ã¦ãŠã‚Šã¾ã™ã€‚ ▼入社後・é…属...
Lugar:
Kyoto | 27/02/2026 03:02:58 AM | Salario: S/. No Especificado