グラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用...
グラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用...
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グラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用...
グラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用...
学校卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ■必須条件： ・数k〜数10kWのパワエレ機器開発の設計 ■歓迎条件： ・パワー半導体(SiC/IGBT)使用経験...
ノード（3nm／5nm）向けFEOL／BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
ノード（3nm／5nm）向けFEOL／BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD／ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...