ボモータやサーボアンプ)の高効率化に関する研究開発は、益々その重要性が高まっています。当社では今後、次世代パワー素子であるSiCの適用拡大、また、さらなる高効率化を実現するための回路技術の研究・開発に取り組んでいきます。 本業務に興味を持ち、社会貢献、ひい...務のやりがい: SiC(シリコンカーバイド)をはじめとする最新の技術を活用し、サーボアンプの高効率化を実現するための開発を行っていただきます。常に最新の情報にアンテナを立てながら、業務を進めていきます。回路設計やシュミレーションだけでなく、部品...
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Miyagi | 07/03/2026 23:03:41 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Miyagi | 07/03/2026 22:03:20 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Fukushima | 07/03/2026 22:03:46 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Aomori | 07/03/2026 22:03:35 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Hokkaido | 07/03/2026 22:03:53 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Akita | 07/03/2026 22:03:42 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Aomori | 07/03/2026 22:03:24 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Yamagata | 07/03/2026 21:03:55 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Iwate | 07/03/2026 21:03:07 PM | Salario: S/. No Especificado