ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Miyagi | 06/03/2026 03:03:14 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Yamagata | 06/03/2026 03:03:31 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Hokkaido | 06/03/2026 03:03:27 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/03/2026 03:03:50 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/03/2026 03:03:46 AM | Salario: S/. No Especificado
学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・数k〜数10kWのパワエレ機器開発の設計 ■歓迎条件: ・パワー半導体(SiC/IGBT)使用経験...
Lugar:
Tokyo | 06/03/2026 03:03:13 AM | Salario: S/. No Especificado
物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロセスの立上げを実施する上では担当工程のみならず、前後...
Lugar:
Itami, Hyogo | 05/03/2026 20:03:35 PM | Salario: S/. No Especificado
内容】 ■枚葉式エピタキシャル成長装置(Si/SiC/GaN)を客先へ引き渡すまでの下記一連の工程をお任せします 【自社での作業】 ・部品入荷状況の確認 ・組立および作業フォロー※工具、計測器(オシロスコープなど)利用 ・工程データの管理※PC...
ミック事業…自動車排ガス浄化製品(SiC-DPF、触媒担体保持・シール材など)を中心に、特殊炭素製品やセラミックフ ァイバー、ファインセラミックス製品など、永年培ってきたコア技術を進化させ、セラミックの新たな可能性を開拓しています。 ■岐阜...
ミック事業…自動車排ガス浄化製品(SiC-DPF、触媒担体保持・シール材など)を中心に、特殊炭素製品やセラミックフ ァイバー、ファインセラミックス製品など、永年培ってきたコア技術を進化させ、セラミックの新たな可能性を開拓しています。 ■岐阜...