的にトップシェアをもつ電子ビームマスク描画装置、最先端の半導体マスク検査装置やSiCに関する半導体製造装置の技術管理に関わる分野で活躍できます。 ・部員にキャリア採用のメンバーが多く、馴染みやすい環境です。 ■働き方: ・在宅勤務 :週2回程度 ・平均残業時間:15〜20H/月...
Lugar:
Kanagawa | 31/03/2026 02:03:31 AM | Salario: S/. No Especificado
保証、社内システムのコンプライアンス、コーポレートガバメント、検査チェック機能などの強化 ■組織の魅力: ・世界的にトップシェアをもつ電子ビームマスク描画装置、最先端の半導体マスク検査装置やSiCに関...
Lugar:
Kanagawa | 31/03/2026 02:03:51 AM | Salario: S/. No Especificado
専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ◆応募要件: ・数k〜数10kWのパワエレ機器開発の設計/評価の経験(開発フェーズの一部の実務経験があれば可) ・電源回路に関わる開発/設計/評価の経験 ■歓迎条件: ・パワー半導体(SiC/IGBT)使用...
Lugar:
Tokyo | 31/03/2026 02:03:51 AM | Salario: S/. No Especificado
ザー加工等の技術開発経験 ・経験補足:半導体基板加工装置メーカー経験者、SiC基板加工経験者歓迎 ・語学力:英語(TOEIC:600以上)...
Lugar:
Ibaraki | 29/03/2026 03:03:28 AM | Salario: S/. 8000000 - 13000000 per year
技術職(電気、電子、機械) 掲載予定期間:2026/3/26(木)〜2026/6/24(水) 【愛知/豊田】研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体)<ミライズ> 電動車向けインバータ用パワー半導体(SiCーMOSFET...車のモータを駆動するための重要なキーデバイスです。当社は、より低損失で小型化に向けたパワー半導体(SiCーMOS)の研究開発を行っております。SiCパワー半導体は、燃費(電費)の向上、電池搭載量削減、航続距離向上が図れるため、Siに変わる次世代半導体として競争が急激に激化しています。電動...
Lugar:
愛知県豊田市西広瀬町 | 28/03/2026 18:03:16 PM | Salario: S/. No Especificado
専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ◆応募要件: ・数k〜数10kWのパワエレ機器開発の設計/評価の経験(開発フェーズの一部の実務経験があれば可) ・電源回路に関わる開発/設計/評価の経験 ■歓迎条件: ・パワー半導体(SiC/IGBT)使用...
Lugar:
Tokyo | 28/03/2026 03:03:01 AM | Salario: S/. No Especificado
内外の研修もご用意しています。 ■製品 ・高周波誘導加熱装置:非接触で金属を加熱する装置。火力での加熱に比べ効率・品質が高く、カーボンニュートラルにも貢献。近年はSiC半導体製造工程向けの引き合い増加。 ・リアクトル/抵抗器:製鉄会社などの大規模工場、変電...
Lugar:
Osaka | 28/03/2026 03:03:21 AM | Salario: S/. No Especificado
ゆくは品質管理の責任者となっていただくことを期待しています。また、様々な社内外の研修もご用意しています。 ■製品 ・高周波誘導加熱装置:非接触で金属を加熱する装置。火力での加熱に比べ効率・品質が高く、カーボンニュートラルにも貢献。近年はSiC半導体製造工程向けの引き合い増加。 ・リア...
Lugar:
Osaka | 28/03/2026 03:03:48 AM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] ◇◆世界の電動化を支える最先端技術へ—SiC・GaNパワー半導体の中核を担う研究開発ポジションです◆◇ ■業務内容 SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT...)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をお任せします。 ・パワーデバイスの企画、技術動向調査 ・デバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計 ・プロセスシミュレーション設計、プロ...
Lugar:
Aichi | 28/03/2026 03:03:18 AM | Salario: S/. No Especificado
の電気回路設計、もしくは電気組立の経験がある方 ■歓迎条件: ・上記必須条件に加えて高精度DC測定の設計経験のある方 ・デバイス静特性(Si/SICパワー半導体)の理解のある方 ・高電圧・大電流を“壊さず測る“保護設計ができる方 <必要...
Lugar:
Aichi | 28/03/2026 03:03:05 AM | Salario: S/. No Especificado