モバイル通信用高周波デバイスなどに欠かせない窒化ガリウム基板の製造及び技術検討に携わり、デジタル社会基盤の構築に貢献できる仕事です。当社はGaN基板の技術を世界的にリードするプレイヤーのひとつで、学会発表や論文も常に注目を浴びています。基礎的な検討から、量産技術検討まで、単結晶を基板に仕上がるまで、多様な工程、技術...を多様な技術背景を持った技術者が協力して作り上げます。 【将来的に従事する可能性のある職務内容】 会社の定める職務 応募条件 【必須要件】 ・経験職種（年数）・経験内容： - 化合物半導体材料の成形加工の技術開発経験者 - 化合物半導体材料（GaN＞＞Si/サファイア/SiC他 脆性...
カードモジュール、GaNトランジスタ、インテリジェントパワーデバイス（IPD）、MOSFET、ダイオード、HMI表示用LSI、NFCタグモジュール、高周波デバイス 等 ・ファンドリー＆OSAT事業…ウェハファンドリー、OSAT...ソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社より社名変更いたしました。 パナソニックで培った技術力を武器に、新体制で更なる社会の発展に寄与すべく邁進します。 【募集背景】 【仕事内容】 【京都】マーケティング（MOSFET、RF-GaN製品）◆在宅可／フレックス／業界トップクラスの技術 ～半導...
営業、事務、企画系 掲載予定期間：2026/2/23(月)〜2026/5/24(日) 【京都】マーケティング（MOSFET、RF-GaN製品）◆在宅可／フレックス／業界トップクラスの技術 ～半導体開発、半導...体営業の方も歓迎／空間認識分野、電池応用分野で業界トップクラスの技術／5G・車載・医療・生活産業等成長分野で幅広く貢献／フレックス／年休127日／土日祝休～ ■業務概要： MOSFET、RF-GaN製品の マー...
［仕事詳細］ 〜半導体開発、半導体営業の方も歓迎／空間認識分野、電池応用分野で業界トップクラスの技術／5G・車載・医療・生活産業等成長分野で幅広く貢献／フレックス／年休127日／土日祝休〜 ■業務概要： MOSFET、RF-GaN...
［仕事詳細］ 【脱炭素・カーボンニュートラルの実現に向けて需要増！様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍／年休127日／リモート制度あり】 ■業務内容： 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワ...の定める業務】 ■募集背景： CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料...
技術職（電気、電子、機械） 掲載予定期間：2026/2/19(木)〜2026/5/20(水) 【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実 【脱炭素・カー...ボンニュートラルの実現に向けて需要増！様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍／年休127日／リモート制度あり】 ■業務内容： 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部...
）ストレージプロダクツ事業部： 幅広いラインアップのストレージ製品を開発・製造しています。 【募集背景】 【仕事内容】 【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）／就業環境◎福利厚生充実 【脱炭素・カー...ボンニュートラルの実現に向けて需要増！様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍／年休127日／リモート制度あり】 ■業務内容： 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部...
のパワー半導体事業の研究開発（基礎研究）ポジションです。 ■業務概要： 先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価...イス特性向上のための先端的なプロセスを提案・検討し、改善指針を構築 ・デバイス設計・試作・評価：SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価(電気特性、動作解析、信頼性評価等) ■働き方： ・残業：月平均10〜20H程度 ・在宅制度：月10日ま...
・GaN）◆積極投資中の注力事業／プライム上場／業績堅調に推移 【次世代半導体材料を用いたパワーデバイス開発／在宅勤務制度あり※月10日まで／多事業展開による抜群の安定性◎売上高1兆規模の総合電機メーカー】 車載...向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発（基礎研究）ポジションです。 ■業務概要： 先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作...
［仕事詳細］ ■業務内容 電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務 ■業務詳細 ◇車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発 ◇上記...規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。 ◇その中で、私たち第1、第2開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。 ◇年齢...