【京都/西院】アプリケーションエンジニア(車載・産機向け)/年休130日【転職支援サービス求人】
しているアプリケーション技術で、顧客設計に入り込んだ提案/サポートの実施ができます。採用に至った際には、市場への貢献や成功体験、会社への売り上げ貢献も実感できます。市場でも注目されている、最先端のSiCデバイスにアプリケーションとして関わる事が出来るので、市場...
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グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
構造物はもちろん、既設構造物について、現地調査から、設計、製作、現地施工まで対応可能な技術者がそろっている ・JR向け鉄道橋が製作可能な溶接認定を保有し、JR東日本向けの重要構造物を直接受注している ・重防食仕様に使われる、独自の防食技術(SIC工法、F砂...
構造物はもちろん、既設構造物について、現地調査から、設計、製作、現地施工まで対応可能な技術者がそろっている ・JR向け鉄道橋が製作可能な溶接認定を保有し、JR東日本向けの重要構造物を直接受注している ・重防食仕様に使われる、独自の防食技術(SIC工法、F砂...
談だけでも大歓迎です!! 【仕事内容】 【仕事内容】 シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装に向けて、以下の業務を担い、活躍いただきます。 ■ダイヤモンド半導体のプロセスの改善や量産化技術の研究開発 ■現行...
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...