ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Fukushima | 06/06/2026 02:06:44 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/06/2026 02:06:49 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Miyagi | 06/06/2026 02:06:20 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Akita | 06/06/2026 02:06:57 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Iwate | 06/06/2026 02:06:32 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/06/2026 02:06:38 AM | Salario: S/. No Especificado
学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須条件: ・数k〜数10kWのパワエレ機器開発の設計 ■歓迎条件: ・パワー半導体(SiC/IGBT)使用経験...
Lugar:
Tokyo | 06/06/2026 02:06:21 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Yamagata | 06/06/2026 02:06:31 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Iwate | 06/06/2026 02:06:58 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Fukushima | 06/06/2026 02:06:54 AM | Salario: S/. No Especificado