[仕事詳細] 〜【北大・産総研発】「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装を目指す会社/パワー半導体の市場規模は2.5兆円、2035年には13兆円超規模に拡大予想〜 シリコン/SiC/GaNに代わる「究極...や次世代通信基地局等に向け、世界初となるダイヤモンド半導体の社会実装を目指しています。 【ダイヤモンド半導体とは】◆高温環境/高放射線環境への耐性が高く,高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり,シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言...
Lugar:
Fukushima | 20/05/2026 02:05:55 AM | Salario: S/. No Especificado
波トランジスタや受動素子のモデリング ・プロジェクトの進行管理 ■ダイヤモンド半導体とは: ◇高温環境・高放射線環境への耐性が高く、高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり、シリコン・SiC等に代わる「究極の半導体」と言われています。◇耐熱性・耐放...
Lugar:
Fukushima | 20/05/2026 02:05:30 AM | Salario: S/. No Especificado
バータ制御ソフトウェア開発。ARM-CPU、TI-DSP、FPGA上で動作するソフトウェアを開発 ・インバータ主回路設計、SiCやGaNなど最新パワーデバイスを使用した回路設計 ・高周波(RF)回路設計 ・パワー回路シミュレーション 直請け案件を100%実施...
Lugar:
Osaka | 20/05/2026 02:05:22 AM | Salario: S/. No Especificado
なあなたにピッタリです。 【業務内容】 パワー半導体製品(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード) のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務 ・マスクレイアウト ・電気特性測定、試作品の観察 ・試作...休暇、介護休暇、慶弔休暇、有給休暇(入社半年後10日)※取得率9割 [応募資格] 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・半導体設計経験3年以上 ■歓迎条件 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディ...
Lugar:
Tokyo | 17/05/2026 02:05:35 AM | Salario: S/. No Especificado
なあなたにピッタリです。 【業務内容】 パワー半導体製品(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード) のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務 ・マスクレイアウト ・電気特性測定、試作品の観察 ・試作...休暇、介護休暇、慶弔休暇、有給休暇(入社半年後10日)※取得率9割 [応募資格] 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・半導体設計経験3年以上 ■歓迎条件 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディ...
Lugar:
Kanagawa | 17/05/2026 02:05:29 AM | Salario: S/. No Especificado
なあなたにピッタリです。 【業務内容】 パワー半導体製品(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード) のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務 ・マスクレイアウト ・電気特性測定、試作品の観察 ・試作...休暇、介護休暇、慶弔休暇、有給休暇(入社半年後10日)※取得率9割 [応募資格] 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・半導体設計経験3年以上 ■歓迎条件 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディ...
Lugar:
Saitama | 17/05/2026 02:05:10 AM | Salario: S/. No Especificado
バータ、パワーコントロールユニット、Si/SiC半導体スイッチングデバイス)を高品質でお客様に提供するために、私達と一緒に品質保証活動を行っていただく仲間を募集します。 ■業務内容: ご経験や適性に応じて、以下...ーコントロールユニット、Si/SiC半導体スイッチングデバイス) ・上記製品を構成する部品 ◆生産拠点 国内及び海外拠点(欧州、中国、北米、インド) ◆その他 海外の生産拠点での新製品立上げ、顧客対応、仕入先監査などに携わるチャンスがあります。 ■部署...
Lugar:
愛知県豊田市西広瀬町 | 17/05/2026 02:05:17 AM | Salario: S/. No Especificado
で稼働する自分の設計を見届ける責任と達成感があります。 チームで協力しながら課題を解決し、通信プロトコルやマイコン制御の専門性を発揮できるポジションです。 ■業務の魅力 車載インバーターモジュールや次世代パワーデバイス(IGBT、P-MOSFET、SiC)検査装置の開発に携わり、通信...
Lugar:
Kanagawa | 17/05/2026 02:05:50 AM | Salario: S/. No Especificado
なあなたにピッタリです。 【業務内容】 パワー半導体製品(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード) のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務 ・マスクレイアウト ・電気特性測定、試作品の観察 ・試作...休暇、介護休暇、慶弔休暇、有給休暇(入社半年後10日)※取得率9割 [応募資格] 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・半導体設計経験3年以上 ■歓迎条件 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディ...
Lugar:
Gunma | 17/05/2026 02:05:41 AM | Salario: S/. No Especificado
なあなたにピッタリです。 【業務内容】 パワー半導体製品(IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード) のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務 ・マスクレイアウト ・電気特性測定、試作品の観察 ・試作...休暇、介護休暇、慶弔休暇、有給休暇(入社半年後10日)※取得率9割 [応募資格] 学歴不問 <応募資格/応募条件> ■必須条件 ・半導体設計経験3年以上 ■歓迎条件 ・IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディ...
Lugar:
Chiba | 17/05/2026 02:05:42 AM | Salario: S/. No Especificado