／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
内容】 ◎電子顕微鏡によるデバイス断面解析 ・専用装置を使ったデバイスの機械研磨、断面加工 ・断面の観察 ・高倍率顕微鏡による微細構造の確認 （FIB-SEM/STEM/AFM） ・装置を使った表面状態の測定 ・クリ...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
タを用いた不良現象の解明、EDAツールや解析装置による不良箇所の絞り込み、さらにFIBやSEMを活用した物理解析で不良部位を特定します。関係部門と連携し、解析結果を基に再発防止策を策定することも重要なミッションです。技術的な知見と論理的思考を駆使し、製品...プロービング解析経験 ・FIB、SEMを使ったDelayering経験 ・その他、何らか半導体の不良解析経験 【勤務時間】 ＜労働時間区分＞ フレックスタイム制（フルフレックス） 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...
／GaNパワーデバイス（MOSFET／HEMT）のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析（FIB／SEM／TEM）と対策業務 ■使用ツール： ◇SEM、TEM、FIB、AFM ◇TCAD...