バランスのとれたポートフォリオで安定して利益をあげています。その中でも住友電工デバイス・イノベーションは、住友電工100%出資の情報通信事業を担う重要なグループ会社です。同社は、光デバイスや光デバイスの開発・製造を行っておりますが、その中でも、携帯電話基地局の無線通信装置に使われているGaN半導...体デバイスは5G、IoT技術に寄与し、国内外で需要が非常に伸びており、17年から設備投資し、増産中です。5Gに対応できるGaAs FETなどの化合物半導体デバイスは、量産供給できるメー カーが数社しかなく、今後さらなる需要が見込まれる基地局用GaNトラ...
Lugar:
Yamanashi | 10/03/2026 03:03:27 AM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] 〜MOSFET、IGBT、SiC/GaNデバイス等半導体の知識ある方歓迎!/平均残業20時間程度・年休127日・土日祝休み/半導体製品の専門商社/「くるみん」取得企業〜 ■業務内容 当社...ある方(半導体:MOSFET、IGBT、SiC/GaNデバイス等) ■歓迎条件 ・パワー半導体メーカーやモジュールメーカーでの設計/応用経験 ・FAEやアプリケーションエンジニアとしての実務経験 ・英語での海外拠点や仕入先メーカーとの会議経験...
Lugar:
Tokyo | 10/03/2026 03:03:18 AM | Salario: S/. No Especificado
インフラ事業に貢献することができる ・製品開発段階では自らの手で設計、試作、評価を行うことができ、モノ作りが好きな人にはぴったりな職場 ■製品・事業の強み: ・防衛レーダ用APAA(Active Phased Array Antenna)向けとして、GaNトラ...
Lugar:
Hyogo | 10/03/2026 03:03:05 AM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Aomori | 08/03/2026 03:03:39 AM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Hokkaido | 08/03/2026 03:03:43 AM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Fukushima | 08/03/2026 02:03:20 AM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Iwate | 08/03/2026 02:03:13 AM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Fukushima | 08/03/2026 00:03:24 AM | Salario: S/. No Especificado
バータ主回路設計、SiCやGaNなど最新パワーデバイスを使用した回路設計 ・高周波(RF)回路設計 ・パワー回路シミュレーション 【組織構成】 マネージャー1名、リーダー 1名、メンバー6名 計8名 ■SEとPGを分業し、各々の業...
Lugar:
Chūō, Osaka | 07/03/2026 23:03:56 PM | Salario: S/. No Especificado
グラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導体ラインの不良解析(FIB/SEM/TEM)と対策業務 ■使用...
Lugar:
Yamagata | 07/03/2026 23:03:37 PM | Salario: S/. No Especificado