ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Fukushima | 06/03/2026 03:03:45 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/03/2026 03:03:24 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Iwate | 06/03/2026 03:03:44 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Miyagi | 06/03/2026 03:03:07 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/03/2026 03:03:40 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Yamagata | 06/03/2026 03:03:38 AM | Salario: S/. No Especificado
、TI-DSP、FPGA上で動作するソフトウェアを開発します。 ・インバータ主回路設計、SiCやGaNなど最新パワーデバイスを使用した回路設計 ・高周波(RF)回路設計 ・パワー回路シミュレーション 【組織構成】 マネージャー1名、リー...
Lugar:
Osaka | 06/03/2026 03:03:22 AM | Salario: S/. No Especificado
クス解析、立体構造・相互作用予測、合成経路探索、AI解析(機械学習/深層学習)、MD・MOシミュレーションなどがあります。 <プロジェクト例> ・AI創薬にかかわるRNN, CNN, VAE, GAN,シミュレーションプログラミング ・抗体...
Lugar:
Aoi, Shizuoka | 06/03/2026 02:03:39 AM | Salario: S/. No Especificado
クス解析、立体構造・相互作用予測、合成経路探索、AI解析(機械学習/深層学習)、MD・MOシミュレーションなどがあります。 <プロジェクト例> ・AI創薬にかかわるRNN, CNN, VAE, GAN,シミュレーションプログラミング ・抗体...
クス解析、立体構造・相互作用予測、合成経路探索、AI解析(機械学習/深層学習)、MD・MOシミュレーションなどがあります。 <プロジェクト例> ・AI創薬にかかわるRNN, CNN, VAE, GAN,シミュレーションプログラミング ・抗体...
Lugar:
Aoba, Sendai | 06/03/2026 01:03:38 AM | Salario: S/. No Especificado