ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Aomori | 06/03/2026 03:03:41 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Miyagi | 06/03/2026 03:03:31 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Fukushima | 06/03/2026 03:03:25 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Miyagi | 06/03/2026 03:03:32 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Fukushima | 06/03/2026 03:03:38 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Iwate | 06/03/2026 03:03:28 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Yamagata | 06/03/2026 03:03:21 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Hokkaido | 06/03/2026 03:03:44 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Yamagata | 06/03/2026 03:03:55 AM | Salario: S/. No Especificado
ノード(3nm/5nm)向けFEOL/BEOLプロセス開発 ◇リソグラフィ・エッチング・CVD/ALDの条件出し・歩留改善 ◇SiC/GaNパワーデバイス(MOSFET/HEMT)のプロセス設計 ◇EUV露光装置の評価・パラメータ最適化 ◇半導...
Lugar:
Akita | 06/03/2026 03:03:51 AM | Salario: S/. No Especificado