[仕事詳細] ICやGaN単体の開発にとどまらず、それらをひとつのシステムとして構成するための開発を担っていただきます。 【配属部署のミッション】 ・GaNとGaN駆動ICおよびコントローラーを活用した、新トポロジー、新シ...ステム開発。 ・新システムによる評価ボード、電源のデモ品設計を行い、顧客に提案し、新規採用につなげる。 ・自部門および顧客の評価結果から、ICおよびGaNデバイスの課題を見つけ、改善提案を行う。 ・GaN、SiC、Siの各強みを理解して、各ト...
Lugar:
Kanagawa | 18/04/2026 02:04:16 AM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] 〜【北大・産総研発】「究極の半導体」と言われるダイヤモンド半導体の世界初の社会実装を目指す会社/パワー半導体の市場規模は2.5兆円、2035年には13兆円超規模に拡大予想〜 シリコン/SiC/GaNに代わる「究極...サーの操作を通じた材料・工程条件の最適化・評価を行います。 【ダイヤモンド半導体とは】◆高温環境/高放射線環境への耐性が高く,高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり,シリコン/SiC/GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。◆宇宙領域/次世...
Lugar:
Ibaraki | 18/04/2026 02:04:51 AM | Salario: S/. No Especificado
ーエレクトロニクスの設計に必要な素子、回路のモデリング開発を一緒にチャレンジして頂ける仲間を募集しています。 ■業務内容 車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及びパワエレ設計環境開発 具体...的には以下の業務に携わっていただきます。 ◆素子モデル開発 ・SiC、GaNにおけるTCAD/SPICEモデリングによる基本設計環境開発 ・上記開発にあたり設計部署とのヒアリング及び折衝 ・モデリングに必要な電気特性評価 ◆車載用信頼性の設計環境開発 ・耐量...
Lugar:
愛知県豊田市西広瀬町 | 17/04/2026 00:04:33 AM | Salario: S/. No Especificado
車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS,Si-IGBT,GaN)の企画/戦略立案をお任せします。 ★具体的には ・パワーデバイス素子の製品企画・戦略立案 ・パワーデバイス素子の技術企画・戦略立案(ウェハ、素子設計、プロセス、実装...
Lugar:
愛知県豊田市西広瀬町 | 16/04/2026 18:04:06 PM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] パワーエレクトロニクスの設計に必要な素子、回路のモデリング開発を一緒にチャレンジして頂ける仲間を募集しています。 ■業務内容 車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)、及び...パワエレ設計環境開発 具体的には以下の業務に携わっていただきます。 ◆素子モデル開発 ・SiC、GaNにおけるTCAD/SPICEモデリングによる基本設計環境開発 ・上記開発にあたり設計部署とのヒアリング及び折衝 ・モデ...
Lugar:
Aichi | 14/04/2026 02:04:24 AM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] ■業務内容 電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子(SiC-MOS,Si-IGBT,GaN)の企画/戦略立案をお任せします。 ★具体的には ・パワーデバイス素子の製品企画・戦略立案 ・パワ...
Lugar:
Aichi | 14/04/2026 02:04:52 AM | Salario: S/. No Especificado
資格] <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上 <応募資格/応募条件> ■必要経験:下記いずれか必須 ・プロセス改善 ・設備設計 ■歓迎条件: ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化...
Lugar:
Niigata | 14/04/2026 02:04:11 AM | Salario: S/. No Especificado
ヤモンド半導体は、高温環境・高放射線環境への耐性が高く、また高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり、シリコン・SiC・GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。 特に東日本大震災による福島第一原発での事故をきっかけに、ダイ...
うミッションの下に立ち上がったスタートアップ企業です。 ◇ダイヤモンド半導体は、高温環境・高放射線環境への耐性が高く、また高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり、シリコン・SiC・GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。 特に東日本大震災による福島第一原発での事故をきっかけに、ダイ...に関する研究開発経験を有する方 ・量産化技術に関する経験 ・半導体新材料(SiC、GaN等) ・RF(高周波デバイス)...
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Ibaraki | 10/04/2026 02:04:13 AM | Salario: S/. No Especificado
ハガス成長法の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 ■やりがい: ・SiC結晶成長は、他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発...
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愛知県日進市米野木町 | 10/04/2026 02:04:52 AM | Salario: S/. No Especificado