うミッションの下に立ち上がったスタートアップ企業です。 ◇ダイヤモンド半導体は、高温環境・高放射線環境への耐性が高く、また高出力高周波素子としてのポテンシャルがあり、シリコン・SiC・GaNに代わる「究極の半導体」と言われています。 特に東日本大震災による福島第一原発での事故をきっかけに、ダイ...に関する研究開発経験を有する方 ・量産化技術に関する経験 ・半導体新材料(SiC、GaN等) ・RF(高周波デバイス)...
Lugar:
Fukushima | 10/04/2026 02:04:10 AM | Salario: S/. No Especificado
ーモジュールの信頼性評価業務(温度サイクル、通電評価など各種信頼性試験項目) ・パワー半導体、パワーモジュールの信頼性評価技術開発(車両での使われ方を考慮した新しい評価、信頼性評価技術の開発) ■やりがい: ・SiC、GaNパワ...
Lugar:
愛知県豊田市西広瀬町 | 10/04/2026 01:04:15 AM | Salario: S/. No Especificado
体リレー等の回路開発 ・SiC、GaNデバイス駆動回路開発 ・モータ制御、電源制御開発 ・耐EMC回路、解析技術開発 ・ロジック回路RTL設計、FPGA、ASIC設計 ■やりがい: ・材料・素子・パワーモジュール・回路...
Lugar:
愛知県日進市米野木町 | 09/04/2026 18:04:11 PM | Salario: S/. No Especificado
ーデバイス開発を行うファブレスの設計開発企業である当社にて国内外工場のプロセス管理をお任せします。 <職務詳細> 具体的には、化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。 ・プロセスインテグレーション(進捗管理) ・工程管理 ・物流管理 生産・在庫...について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属...
Lugar:
Nishikyo, Kyoto | 09/04/2026 00:04:02 AM | Salario: S/. No Especificado
エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業~ ■事業ミッション これまでR&Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違... (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ■配属先情報 大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor...
Lugar:
Nishikyo, Kyoto | 08/04/2026 19:04:14 PM | Salario: S/. No Especificado
に資金調達および顧客開拓が進み、量産に向けて始動しております。 今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化(量産化)していく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 化合物半導体(SiC・GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、ファ...管理・製造工程管理/出荷管理/在庫管理など ※海外出張があります。 ※海外とのWEBミーティング:週5~6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手...
Lugar:
Nishikyo, Kyoto | 08/04/2026 17:04:21 PM | Salario: S/. No Especificado
いく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼業務内容 化合物半導体(SiC・GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、ファウンドリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整をお任せします。 <業務詳細> ・海外ファウンドリメーカーとの生産管理(在庫管理) ・顧客... Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ▼入社後・配属組織 大手...
Lugar:
Kyoto | 07/04/2026 02:04:36 AM | Salario: S/. No Especificado
ーエレクトロニクス回路、及び制御技術の研究開発 ・インバータ、コンバータ、半導体リレー等の回路開発 ・SiC、GaNデバイス駆動回路開発 ・モータ制御、電源制御開発 ・耐EMC回路、解析技術開発 ・ロジック回路RTL設計、FPGA、ASIC設計 ■やり...
Lugar:
Aichi | 07/04/2026 02:04:56 AM | Salario: S/. No Especificado
[仕事詳細] 〜電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発/国内外からの出資企業多数!Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業〜 ■事業ミッション これまでR&Dとして、高性... Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。 ■配属先情報 大手...
Lugar:
Kyoto | 07/04/2026 02:04:12 AM | Salario: S/. No Especificado
いく為にご尽力いただける方を募集いたします。 ▼職務内容 パワーデバイス開発を行うファブレスの設計開発企業である当社にて国内外工場のプロセス管理をお任せします。 <職務詳細> 具体的には、化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託...間で製品は直送)で行っています。 ※海外出張:有、海外とのWEBミーティング:週5〜6回 ▼製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電...
Lugar:
Kyoto | 07/04/2026 02:04:47 AM | Salario: S/. No Especificado