［仕事詳細］ 〜東証プライム上場／非鉄金属業界大手／鍛え上げた製錬技術を基に独自の「資源循環型事業」をグローバル展開しています〜 ■業務内容：MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs・InP系に限らず、GaN系材...料も含む）の結晶成長に関する業務をご担当いただきます。 ■業務詳細： ・主にGaAs系、InP系赤・赤外LED・PDの結晶成長 ・デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化、MOCVD装置設計の最適化 ・MOCVDによ...
ジュール交渉も並行して行います。 ■業務詳細 ・LN変調器/シリコンフォトニクス/InP受光器等の光集積回路(PIC)設計 ・Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭載した光デバイスのRF（EO、OE）設計（DC～140GHz)」 ・実装設計（機構、PCB、フリ...
や部品ベンダとの仕様/スケジュール交渉も並行して行います。 ■業務詳細 ・LN変調器/シリコンフォトニクス/InP受光器等の光集積回路(PIC)設計 ・Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭載した光デバイスのRF（EO、OE）設計（DC...
でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造、品質部門との関わり合いが必須となるため、色々な人...
物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロセスの立上げを実施する上では担当工程のみならず、前後...
物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 （2）扱う基板は、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロ...
または光デバイス向けのウェハプロセスやインテグレーションの開発経験 ・デバイス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件： ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方...
イス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件： ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方...
［仕事詳細］ 〜化合物半導体（GaN, InP等）のプロセスエンジニア／結晶成長炉(MOCVD)／光通信用半導体／結晶成長工程における生産性改善〜 ■業務内容 光通信用レーザー用半導体材料（In、P、Ga、As系材料）の化...合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術をお任せいたします。結晶成長工程における生産性改善や製造/生産技術業務をご担当いただきます。具体的には以下業務をお任せいたします。 ■業務詳細 InP基板上に薄膜結晶(エピタキシャル)成長する工程をお任せいたします。ご入社後は、結晶成長炉(MOCVD)及び...
）、人工知能／マシンラーンニング（AI／ML）分野でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造...