【東京駅】プロセスエンジニア(シリコンフォトニクス集積回路)※プラットフォーム構築含む
イス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方 【勤務時間】 <労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:00~14:45 休憩時間:45分...
イス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方 【勤務時間】 <労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:00~14:45 休憩時間:45分...
物半導体(GaN, InP等)のプロセスエンジニア/結晶成長炉(MOCVD)/光通信用半導体/結晶成長工程における生産性改善~ ■業務内容 光通信用レーザー用半導体材料(In、P、Ga、As系材料)の化...合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術をお任せいたします。結晶成長工程における生産性改善や製造/生産技術業務をご担当いただきます。具体的には以下業務をお任せいたします。 ■業務詳細 InP基板上に薄膜結晶(エピタキシャル)成長する工程をお任せいたします。ご入社後は、結晶成長炉(MOCVD)及び...
イス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方 【勤務時間】 <労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:00~14:45 休憩時間:45分...
イス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方 【勤務時間】 <労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:00~14:45 休憩時間:45分...
プロエンジニア~ ■職務内容: 光通信用デバイスの高速・高効率化のための異種材料集積光デバイスのプロセス研究業務を担当頂きます。異種材料集積光デバイス実現にはⅢ-V族化合物半導体(例:InP)とSiウェハなどの接合技術が必要となり、それ...
[仕事詳細] 〜化合物半導体(GaN, InP等)のプロセスエンジニア/結晶成長炉(MOCVD)/光通信用半導体/結晶成長工程における生産性改善〜 ■業務内容 光通信用レーザー用半導体材料(In、P、Ga、As系材料)の化...合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術をお任せいたします。結晶成長工程における生産性改善や製造/生産技術業務をご担当いただきます。具体的には以下業務をお任せいたします。 ■業務詳細 InP基板上に薄膜結晶(エピタキシャル)成長する工程をお任せいたします。ご入社後は、結晶成長炉(MOCVD)及び...
または光デバイス向けのウェハプロセスやインテグレーションの開発経験 ・デバイス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方...
または光デバイス向けのウェハプロセスやインテグレーションの開発経験 ・デバイス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方...
材料集積光デバイス実現にはⅢ-V族化合物半導体(例:InP)とSiウェハなどの接合技術が必要となり、それぞれの利点を活用することで高速・高効率化デバイスの実現が見えてきております。本研究のプロセス開発ということで、試作品のハンドリング(現場作業者への指示・実働(実際...
または光デバイス向けのウェハプロセスやインテグレーションの開発経験 ・デバイス製品の開発段階における品質管理や品質保証の経験 ■歓迎要件: ・Siファブを利用した製品開発の経験をお持ちの方 ・III-V族材料(InP等)のプロセス技術に詳しい方...