信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ■職務詳細： ＜業務内容例＞ ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置...を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 ・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜...
Lugar:
Hyogo | 13/03/2026 03:03:28 AM | Salario: S/. No Especificado
グループ会社である古河ファイテルオプティカルコンポーネンツ株式会社へ出向となり、光トランシーバ向けシミュレーション技術開発・開発支援を行うチームのマネジメントをお任せします。 配属チームは、LN変調器、シリコンフォトニクス/InP受器等の光集積回路(PIC)、Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭...
Lugar:
Chiba | 13/03/2026 03:03:13 AM | Salario: S/. No Especificado
物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロセスの立上げを実施する上では担当工程のみならず、前後...
Lugar:
Itami, Hyogo | 06/03/2026 03:03:40 AM | Salario: S/. No Especificado
でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造、品質部門との関わり合いが必須となるため、色々な人...
）、人工知能／マシンラーンニング（AI／ML）分野でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造...
物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 （2）扱う基板は、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロ...
Lugar:
Itami, Hyogo | 03/03/2026 18:03:32 PM | Salario: S/. 5000000 - 11100000 per year | Empresa:
三菱電機株式会社物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 （2）扱う基板は、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロ...
Lugar:
Hyogo | 03/03/2026 03:03:38 AM | Salario: S/. No Especificado
）、人工知能／マシンラーンニング（AI／ML）分野でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造...
Lugar:
Kanagawa | 03/03/2026 03:03:06 AM | Salario: S/. No Especificado
の業界に展開することで安定◎／研修費用は売上の8％を投資／生涯プロエンジニア～ ■職務内容： 光通信用デバイスの高速・高効率化のための異種材料集積光デバイスのプロセス研究業務を担当頂きます。異種材料集積光デバイス実現にはⅢ-V族化合物半導体(例：InP)とSiウェ...
物半導体（GaN, InP等）のプロセスエンジニア／結晶成長炉(MOCVD)／光通信用半導体／結晶成長工程における生産性改善～ ■業務内容 光通信用レーザー用半導体材料（In、P、Ga、As系材料）の化...合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術をお任せいたします。結晶成長工程における生産性改善や製造/生産技術業務をご担当いただきます。具体的には以下業務をお任せいたします。 ■業務詳細 InP基板上に薄膜結晶(エピタキシャル)成長する工程をお任せいたします。ご入社後は、結晶成長炉(MOCVD)及び...
Lugar:
Sakae, Yokohama | 01/03/2026 01:03:32 AM | Salario: S/. No Especificado