成長は光デバイス性能を左右する核心工程であり、波長精度や信号品質はエピ層の結晶品質に依存します。特に高負荷通信には高品質なInP結晶が不可欠です。当社では開発・量産・設備改善が一体化した環境で、設計者と直接議論しながら品質向上に取り組めます。 ■キャリアパス 将来...
Lugar:
Kanagawa | 24/03/2026 03:03:10 AM | Salario: S/. No Especificado
) 信頼できるデータ:API(Retrofit/Ktor)、キャッシュ/オフライン(Room/SQLDelight、WorkManager) 品質ループ:自動テスト、CI/CD、計測→改善(Crashlytics/ANR/起動時間/INP...
Lugar:
Honcho, Tokyo | 23/03/2026 18:03:06 PM | Salario: S/. 600000 - 950000 mensual | Empresa:
スクマド事務局ォーマンス最適化(LCP/INP/CLS、コード分割、アセット最適化) API 連携(OpenAPI/GraphQL/REST、エラーハンドリング/再試行戦略) E2E/Unit テスト(Cypress/Vitest)とアクセシビリティ改善(WAI...
Lugar:
Honcho, Tokyo | 23/03/2026 18:03:10 PM | Salario: S/. 600000 - 950000 mensual | Empresa:
MP事務局,stale-while-revalidate,キャッシュキー設計等)を含めた配信設計ができ、継続的な性能改善をリードした経験 ・CoreWebVitals(LCP/INP/CLS)やTTFBを指標に、計測(DevTools/Lighthouse...
Lugar:
Tokyo | 22/03/2026 03:03:03 AM | Salario: S/. 7000000 - 15000000 per year
シング技術の発展に貢献しています。 ■三菱電機の高周波・光デバイス: 主に化合物半導体を使った電子部品です。化合物半導体(GaAs、GaN、InP等)は、シリコン(Si)と比較して、より速い高周波特性、高い発光効率を有しており、情報通信分野では、不可欠な材料です。 ■市場...
育休取得率97%!/化合物半導体の結晶成長工程における研究開発】 ■職務内容: 化合物半導体、とくにInP(インジウムリン)、GaAs(ガリウムひ素)で次世代に通用する結晶成長技術、ウエハ加工技術の開発をお任せします。また、当社InP、GaAsの化...の化合物半導体は表示用のLEDやスマートフォン、デジタル腕時計(生体センサ)など幅広い用途で使用されます。GaAs(ガリウム砒素)とInP(インジウムリン)の化合物半導体それぞれの世界シェアが高く、総合して世界シェア1位となります。 ■組織構成: 配属...
[仕事詳細] 【世界約40ヶ国で28万人を超える社員を擁する企業グループ/男性育休取得率97%!/化合物半導体の結晶成長工程における研究開発】 ■職務内容: 化合物半導体、とくにInP(インジウムリン)、GaAs(ガリウムひ素)で次...世代に通用する結晶成長技術、ウエハ加工技術の開発をお任せします。また、当社InP、GaAsの化合物半導体におけるシェアはトップクラスで、これらの化合物半導体で培ってきた技術をベースに新しい化合物半導体材料の技術探索もお任せします。 ■具体的な業務内容: ・社内...
Lugar:
Hyogo | 17/03/2026 03:03:13 AM | Salario: S/. No Especificado
・量産導入までを一貫して行います。 ■職務詳細: <業務内容例> ● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ...
Lugar:
Itami, Hyogo | 14/03/2026 18:03:39 PM | Salario: S/. No Especificado
信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ■職務詳細: <業務内容例> ● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置...を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整 ・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現(量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など) ● 薄膜...
Lugar:
Itami, Hyogo | 13/03/2026 18:03:37 PM | Salario: S/. 5000000 - 11100000 per year | Empresa:
三菱電機株式会社コンフォトニクス/InP受器等の光集積回路(PIC)、Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭載した光トランシーバ/光デバイスの設計、評価を担っており、チーム体制強化のための増員募集となります。 自社開発製品の顧客運用モデルを構築し、シミ...