信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ■職務詳細： ＜業務内容例＞ ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置...を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 ・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜...
Lugar:
Hyogo | 13/03/2026 03:03:12 AM | Salario: S/. No Especificado
グループ会社である古河ファイテルオプティカルコンポーネンツ株式会社へ出向となり、光トランシーバ向けシミュレーション技術開発・開発支援を行うチームのマネジメントをお任せします。 配属チームは、LN変調器、シリコンフォトニクス/InP受器等の光集積回路(PIC)、Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭...
Lugar:
Chiba | 13/03/2026 03:03:00 AM | Salario: S/. No Especificado
物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 （2）扱う基板は、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロ...
Lugar:
Hyogo | 03/03/2026 03:03:23 AM | Salario: S/. No Especificado
信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ■職務詳細： ＜業務内容例＞ ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 ・MOCVD装置...を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 ・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 ・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜...
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Itami, Hyogo | 13/03/2026 18:03:56 PM | Salario: S/. 5000000 - 11100000 per year | Empresa:
三菱電機株式会社ォーマンス最適化（LCP/INP/CLS、コード分割、アセット最適化） API 連携（OpenAPI/GraphQL/REST、エラーハンドリング/再試行戦略） E2E/Unit テスト（Cypress/Vitest）とアクセシビリティ改善（WAI...
Lugar:
Honcho, Tokyo | 13/03/2026 18:03:15 PM | Salario: S/. 600000 - 950000 mensual | Empresa:
MP事務局コンフォトニクス/InP受器等の光集積回路(PIC)、Driver/TIAの電気集積回路(EIC)を搭載した光トランシーバ/光デバイスの設計、評価を担っており、チーム体制強化のための増員募集となります。 自社開発製品の顧客運用モデルを構築し、シミ...
） 信頼できるデータ：API（Retrofit/Ktor）、キャッシュ/オフライン（Room/SQLDelight、WorkManager） 品質ループ：自動テスト、CI/CD、計測→改善（Crashlytics/ANR/起動時間/INP...
Lugar:
Honcho, Tokyo | 13/03/2026 18:03:29 PM | Salario: S/. 600000 - 950000 mensual | Empresa:
スクマド事務局物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロセスの立上げを実施する上では担当工程のみならず、前後...
Lugar:
Itami, Hyogo | 05/03/2026 20:03:00 PM | Salario: S/. No Especificado
でなくてならない最先端の200Gbps等ハイスピードなInＰ系化合物半導体レーザチップのテストに関する業務になります。 ∟半導体製造でのテスト技術に関する知識と経験があること。 ∟設計、製造、品質部門との関わり合いが必須となるため、色々な人...
物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 （2）扱う基板は、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC)であり、当所で製造しているデバイス全般の技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロ...
Lugar:
Itami, Hyogo | 03/03/2026 18:03:40 PM | Salario: S/. 5000000 - 11100000 per year | Empresa:
三菱電機株式会社